Воскресенье, 2020-11-29, 11:18 AM
Коллекция материаловГлавная

Регистрация

Вход
Приветствую Вас Гость | RSS
Меню сайта
Главная » 2014 » Август » 1 » Скачать Взаимодействие примесных атомов и собственных точечных дефектов при формировании кислородсодержащих термодоноров в бездислокационных бесплатно
11:18 PM
Скачать Взаимодействие примесных атомов и собственных точечных дефектов при формировании кислородсодержащих термодоноров в бездислокационных бесплатно

Взаимодействие примесных атомов и собственных точечных дефектов при формировании кислородсодержащих термодоноров в бездислокационных монокристаллах кремния

Диссертация

Автор: Арапкина, Лариса Викторовна

Название: Взаимодействие примесных атомов и собственных точечных дефектов при формировании кислородсодержащих термодоноров в бездислокационных монокристаллах кремния

Справка: Арапкина, Лариса Викторовна. Взаимодействие примесных атомов и собственных точечных дефектов при формировании кислородсодержащих термодоноров в бездислокационных монокристаллах кремния : диссертация кандидата технических наук : 05.27.06 Москва, 2004 172 c. : 61 04-5/2086

Объем: 172 стр.

Информация: Москва, 2004


Содержание:

Глава
I Термодоноры в монокристаллах кремния(Обзор литературы)
111 Двойные термодоноры в монокристаллах кремния
1120днозарядный мелкий термодонор
113Влияние предварительной термообработки на генерацию кислородных термодоноров
114Влияние примеси углерода на образование двойньрс термодоноров
12Модели образования двойных термодоноров
13Диффузия атомов кислорода в кремнии
14Влияние примеси азота на образование термодоноров
16Постановка задачи исследования И
Глава
II Методика эксперимента Введение
21Определение концентраций основных и компенсирующих электрически активных центров в легированных монокристаллах кремния
211ЭффекгХолла
2120пределение удельного сопротивления и холловской подвижности основных носителей заряда
213Метод измерения эффекта Холла
214Определение ошибки расчета концентрации основных и компенсирующих центров
22Термическая обработка образцов
23Определение концентраций межузельных атомов кислорода, углерода и азота в исследуемых образцах
24 Изучение картины распределения ростовых микродефектов в пластинах кремния методом медного декорирования
Глава
III Влияние условий термообработки, собственных точечных дефектов и атомов бора на генерацию кислородных термодоноров в пластинах кремния Введение
31Влияние собственных межузельных атомов кремния на генерацию кислородных термодоноров в пластинах кремния
312Влияние условий термообработки на генерацию кислородных термодоноров
3140бсуждение результатов эксперимента
320собенности генерации кислородных термодоноров в монокристаллах кремнии с повышенной концентрацией атомов бора
34Выводы
44Выводы
Заключение
Приложение
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение:

Основным полупроводниковым материалом в современной твердотельной монокристаллов методом электронике является кремний. Выращивание бездислокационных кремния осуществляется или методом бестигельной зонной плавки (БЗП), или методом Чохральского. Основной объем монокристаллов кремния производится микроэлектронике для производства сверхбольших интегральных Чохральского. 80-90% полученных этим методом монокристаллов используется в схем (СБИС). Технология и производство бездислокационных монокристаллов кремния и СБИС развиваются в направлении увеличения диаметра пол)аемых слитков, уменьшения топологических размеров и увеличения плотности монтажа элементов СБИС. При этом непрерывно ужесточаются требования к качеству используемых бездислокационных монокристаллов, прежде всего к совершенству их кристаллической структуры, чистоте и однородности распределения электрофизических свойств. В связи с наличием достаточного количества слабоконтролируемых загрязнений быстродиффундирующими примесями как на стадии изготовления пластин, так и в процессах формирования элементов СБИС, весьма актуальной проблемой является создание эффективных геттерирующих сред, позволяющих очистить активную область приборной структуры от нежелательньрс примесей и избыточных собственных точечных дефектов (СТД). Для пластин большого диаметра, толщина которых сравнительно велика, эта задача решается пугем создания в объеме пластины внутреннего геттера в процессе распада пересыщенного твердого раствора кислорода. На этот процесс влияет достаточно много факторов. К числу основных из них относятся процессы взаимодействия атомов кислорода с сопутствующими примесями и СТД. Кислород образует в кремнии твердый раствор типа внедрения (находится в междоузлиях) и в этом состоянии практически не проявляет электрической активности. Концентрация межузельного кислорода в монокристаллах кремния, полученных методом БЗП, достигает 10* см а методом Чохральского 10* см В последнем случае концентрация кислорода оказывается достаточной для образования в монокристалле пересыщенного твердого раствора, продукты распада которого (оксидные преципитаты и сопутствующие им дефекты) являются эффективными стоками для нежелательных быстродиффундирующих примесей (Fe, Си и др.), попадающих в пластину при формировании элементов СБИС. Процесс распада пересыщенного твердого раствора в кристалл атомов азота облегчает получение монокристаллов, не содержащих вакансионных пор, и способствует повышению механической последующих прочности пластин большого диаметра (и большого веса) при термообработках, затрудняя образование и высокотемпературных движение в них дислокаций, и тем самым предотвращая появление дислокаций в рабочей области пластины. Растворимость азота в кремнии мала и введение

Скачивание файла!Для скачивания файла вам нужно ввести
E-Mail: 1662
Пароль: 1662
Скачать файл.
Просмотров: 105 | Добавил: Диана33 | Рейтинг: 0.0/0
Форма входа
Поиск
Календарь
«  Август 2014  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
    123
45678910
11121314151617
18192021222324
25262728293031
Архив записей
Друзья сайта
  • Официальный блог
  • Сообщество uCoz
  • FAQ по системе
  • Инструкции для uCoz
  • Copyright MyCorp © 2020 Создать бесплатный сайт с uCoz