Главная » 2014 » Сентябрь » 27 » Скачать Синтез и свойства теллурида свинца, легированного тулием. Дорофеев, Сергей Геннадиевич бесплатно
0:37 AM
Скачать Синтез и свойства теллурида свинца, легированного тулием. Дорофеев, Сергей Геннадиевич бесплатно
Синтез и свойства теллурида свинца, легированного тулием
Диссертация
Автор: Дорофеев, Сергей Геннадиевич
Название: Синтез и свойства теллурида свинца, легированного тулием
Справка: Дорофеев, Сергей Геннадиевич. Синтез и свойства теллурида свинца, легированного тулием : диссертация кандидата химических наук : 02.00.01 Москва, 2004 185 c. : 61 04-2/682
Объем: 185 стр.
Информация: Москва, 2004
Содержание:
^ П ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ П 1 Система РЬ Те IL2 Система Tm-Pb ПЗ Система Т т Те
II31 Фазовая диаграмма и термодинамические свойства фаз в системе Тт-Те ПЗ2 Зонная структура монотеллурида тулия ПЗ 3 Зарядовое состояние тулия в ТтТе |ф ПЗ 4 Синтез теллуридов тулия ПЗ 5 Перспективы исследования теллуридов тулия П4 Система РЬ Т т Те П41 Сведения о фазовой диаграмме системы РЬ Т т Те П42 Свойства фаз в системе Pb-Tm-Te П5 Синтез и свойства монокристаллов легированного теллурида свинца ^ П51 Особенности реальной структуры кристаллов легированного РЬТе • П52 Влияние операционных параметров синтеза на реальную структуру кристаллов П53 Образование пересыщенных твердых растворов при направленной кристаллизации П54 Сведения о зарядовом состоянии и электрической активности примесей в легированных кристаллах РЬТе П6 Выводы из обзора литературы П1 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
III 1 Исходные материалы и оборудование
III2 Синтез фаз в системе Pb-Tm-Te
11121 Синтез монотеллурида тулия
111211 Отжиг тулия в парах теллура
111212 Гидридный метод
111213 Синтез в расплаве бромида натрия
III214 Синтез в расплаве свинца IIL215 Высокотемпературный синтез
III216 Получение тонких пленок
11122 Синтез ромбоэдрической фазы Тт4Те
11123 Синтез ТшгТез
11124 Синтез сплавов состава ТшгТе, ТтТецз, ТтзТе
11125 Синтез теллурида свинца
11126 Синтез оксотеллурида тулия ШЗ Диагностика фаз ШЗЛ Рентгенофазовый анализ ШЗ 2 Измерение магнитной восприимчивости
III33 Дифференциально-термический анализ
1114 Изучение фазовой диаграммы системы Pb-Tm-Te
11141 Фазовый состав и ДТА образцов в системе Тт-Те
11142 Триангуляция системы Pb-Tm-Te Ш43 Разрез РЬТе ТтгТез
1115 Выращивание кристаллов теллурида свинца, легированного тулием
III51 Рост кристаллов из пара Ш52 Рост кристаллов из расплава
1116 Исследование монокристаллов
1116,1 Использованные методы исследования
III611 Подготовка образцов
111612 Определение состава кристаллов
111613 Исследование реальной структуры кристаллов
111614 Гальваномагнитные исследования
111615 Исследование температурной зависимости электропроводности
111616 Определение магнитной восприимчивости
111617 Исследование околокраевой тонкой структуры спектра рентгеновского поглощения (XANES)
11162Результаты исследования образцов полученных кристаллов
111621 Зависимость параметра элементарной ячейки кристаллов от состава
111622 Распределение тулия по длине выращенных кристаллов
111623 Реальная структура кристаллов
111624 Температурная зависимость электрического сопротивления
1116250пределение зарядового состояния Тт: магнитная восприимчивость и XANES
III626 Результаты гальваномагнитных исследований
Введение:
Легирование представляет собой универсальный метод модифицирования свойств материала. Характерной особенностью легированных соединений А'*В^ является образование из-за больших величин статических диэлектрических проницаемостей примесных центров, имеющих некулоновский потенциал, что приводит к образованию глубоких, квазилокальных примесных уровней. Легирование также позволяет изменить параметры кристаллической решетки, ширину запрещенной зоны, тип проводимости, концентрацию носителей заряда и т.д. [1].Большая часть работ, посвященных вопросам примесных состояний в А'^ В ,^ связаны с легированием их элементами III группы. При легировании индием РЬТе впервые показана возможность стабилизации уровня Ферми и получения материала с высокой пространственной однородностью. В этих материалах обнаружен эффект задержанной фотопроводимости, долговременные релаксационные процессы электронных распределений, связанные с высокой фоточувствительностью материала. Позже подобные явления обнаружены в кристаллах PbTe(Ga), PbTe(Cd), PbTe(Cr) и др.Менее всего изучены процессы легирования А'^ В^ редкоземельными элементами. Оценка влияния тулия на свойства РЬТе показала возможность стабилизации уровня Ферми, хотя исследования затруднены высокими температурами плавления и агрессивностью расплавов теллуридов тулия.Кроме того, сведения об условиях синтеза, стехиометрии и свойствах фаз в системе Тт-Те ограничены и противоречивы.В задачи настоящей работы входило: 1. Разработка условий синтеза теллуридов тулия.2. Изучение части фазовой диаграммы тройной системы РЪ-Тт-Те, являющейся основой выбора условий легирования теллурида свинца тулием.3. Разработка условий синтеза кристаллов твердого раствора теллуридов свинца и тулия и исследование влияния этих условий на свойства кристаллов.
