Среда, 2020-10-28, 3:48 AM
Коллекция материаловГлавная

Регистрация

Вход
Приветствую Вас Гость | RSS
Меню сайта
Главная » 2014 » Сентябрь » 21 » Скачать Механизмы модификации электронной структуры, светоизлучающих свойств и состава поверхности пористого кремния в процессе водного бесплатно
2:23 AM
Скачать Механизмы модификации электронной структуры, светоизлучающих свойств и состава поверхности пористого кремния в процессе водного бесплатно
Механизмы модификации электронной структуры, светоизлучающих свойств и состава поверхности пористого кремния в процессе водного дотравливания

Диссертация

Автор: Апполонов, Сергей Владимирович

Название: Механизмы модификации электронной структуры, светоизлучающих свойств и состава поверхности пористого кремния в процессе водного дотравливания

Справка: Апполонов, Сергей Владимирович. Механизмы модификации электронной структуры, светоизлучающих свойств и состава поверхности пористого кремния в процессе водного дотравливания : диссертация кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Ульяновск, 2005 143 c. : 61 05-1/456

Объем: 143 стр.

Информация: Ульяновск, 2005


Содержание:

Введение
Глава
I Литературный обзор
§11 Получение пористого 1фемния
12 Механизмы образования структурных особенностей пористого кремния
13 Механизмы окисления и роль оксида кремния в фотолюминесценции пористого кремния
§14 Количественный оже-анализ химического состава твердых тел
§15 Состав и строение a-SIOx
§16 Анализ моделей фотолюминесценции пористого кремния
17 Влияние на фотолюминесценцию пористого кремния лазерного облучения
Глава
II Методика эксперимента
Глава
III Количественный оже-анализ пористых полупроводникых материалов, содержащих элементный и окисленный кремний
Глава
IV Неразрушающий анализ стехиометрии окисленной поверхности пористого кремния
Глава
V Модификация свойств пористого кремния в процессе водного дотравливания
51 Механизмы водного дотравливания пористого кремния п-типа проводимости во внешнем электрическом поле
52 Изменение оптических свойств и состава поверхности пористого кремния в процессе водного дотравливания Литература
Приложение

Введение:

Актуальность темы Квантовые объекты, ярким представителем которых является пористый кремний (por-Si), привлекают в последнее время пристальное внимание исследователей из-за их несомненной перспективности в микроэлектронике и оптоэлектронике. Открытие в 1990 г. Кэнхэмом фотолюминесценции (ФЛ) пористого кремния в видимой области спектра вызвало к нему большой интерес как к перспективному материалу. Однако, несмотря на чрезвычайно интенсивные и многообразные исследования свойств пористого кремния, единой точки зрения на механизмы, ответственные за существование его фотолюминесценции в видимой области спектра до сих пор не существует. В последнее время ажиотажный характер исследований спал и стал носить более глубокий и обобщающий характер. Это связано с тем, что, исключительно простой с точки зрения технологии изготовления, por-Si обладает свойствами, которые можно трактовать в рамках различных моделей и подходов. Полученные к настоящему времени экспериментальные и теоретические данные обобщены в рамках пяти моделей, которые получили следующие названия квантово-размерная, водородная, силоксеновая или химическая, модель аморфной кремниевой оболочки, модель поверхностных состояний и модель кислородных центров. Одной из самых существенных причин, сдерживающей применение пористого кремния, является существенная нестабильность светоизлучательных характеристик при различных внешних воздействиях. Именно с этим связано наблюдаемое в последние пять лет повышение интереса к разработке различных способов стабилизации светоизлучения пористых полупроводников. Наиболее значимые результаты в этом направлении достигнуты путем окисления поверхности квантовых нитей. Причем создание стабильного окисла кремния возможно как на стадии электрохимического травления, так и после формирования пористого слоя. Интересные результаты при формировании оксида после изготовления пористого слоя достигаются при быстром высокотемпературном термическом окислении и при длительном нахождении в воде. Существуют ряд других методов окисления один из которых водное дотравливание (ВД). ВД достаточно экзотический метод самоформирования пор и окисления поверхности квантовых нитей пористого кремния после проведения электрохимического травления. Возможность создания окисла кремния в процессе водного дотравливания открыта сравнительно недавно и изучена крайне слабо. При этом стоит отметить тот факт, что в процессе ВД не происходит нарушения структуры и морфологии пористого слоя. Процесс создания стабильного окисла на поверхности квантовых нитей сопряжено с некоторыми трудностями и в первую очередь с контролем фазового состава и количества оксида в процессе окисления. Для определения состава поверхности в работе предлагается использовать один из наиболее точных методов электронную оже-спектроскопию (ЭОС). В большинстве случаев получение надежной количественной информации о составе исследуемых твердых тел сопряжено с эталонированием ожеспектрометра, т.е. с использованием одного или нескольких эталонных образцов известного состава. Этот метод хорошо зарекомендовал себя только в тех случаях, когда состав образца представляет собой простые бинарные системы, но не содержит окислов. В то же время, при исследовании тонких и сверхтонких (3-12 им) слоев диоксида кремния, термически обработанного пористого кремния, буферных слоев карбида кремния и т.д. ожеспектроскопия сталкивается с необходимостью калибровки именно по SiOx и Si одновременно. К сожалению, создание эталонов с различным содержанием элементного кремния Si(el) и кремния в окисленном состоянии Si(ox) практически невозможно. Поэтому в таких случаях данные ЭОС используются только для определения тенденции изменения амплитуд L23VV оже-линии кремния Si(el) (91 eV) и Si(ox) (75-85 eV) либо KLL-линий Si(el) (1620 eV) и Si(ox) (1610 eV). Именно эти интенсивности, измеренные по методике peak-to-peak, как правило, используются для анализа состава тонких слоев оксида кремния. Таким образом, в данной работе представлены новые методики для проведения количественного оже-анализа систем, содержащих элементный и

Скачивание файла!Для скачивания файла вам нужно ввести
E-Mail: 1662
Пароль: 1662
Скачать файл.
Просмотров: 154 | Добавил: Диана33 | Рейтинг: 0.0/0
Форма входа
Поиск
Календарь
«  Сентябрь 2014  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
1234567
891011121314
15161718192021
22232425262728
2930
Архив записей
Друзья сайта
  • Официальный блог
  • Сообщество uCoz
  • FAQ по системе
  • Инструкции для uCoz
  • Copyright MyCorp © 2020 Создать бесплатный сайт с uCoz